Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction pour la réalisation de circuits monolithiques hyperfréquence

Si Mahfoud, Rachid (2001). Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction pour la réalisation de circuits monolithiques hyperfréquence. Mémoire de maîtrise électronique, Montréal, École de technologie supérieure.

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Résumé

Ce travail porte sur la modélisation petit signal du transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) de la filière GaInP/GaAs, ainsi que l'intégration du modèle dans un logiciel de CAO, tel que Advanced Design System (ADS). Le modèle développé est utilisé en vue de réalisation d'amplificateurs monolithiques.

Ces transistors sont des dispositifs semi-conducteurs relativement récents, qui offrent des performances remarquables dans les applications micro-ondes/millimétriques et les circuits numériques à très haute vitesse.

Pour pouvoir exploiter ces transistors, il faudrait développer des modèles équivalents et des méthodes d'extraction des paramètres de ces composants. Nous avons donc contribué au développement et à la programmation d'une nouvelle méthode analytique d'extraction de ces paramètres du (HBT). Cette procédure d'extraction utilise un ensemble d'expressions sans aucune approximation, dans ce sens on peut dire que cette méthode d'extraction est plus correcte. Cette étude à conduit a la validation du modele linéaire en la comparant aux résultats de mesures.

Dans ce mémoire, nous avons intégré un modèle linéaire dans un logiciel de CAO sous forme de modèle compilé, ainsi que la procédure à suivre pour concevoir ce modèle compilé appliqué au HBT, avec tous les paramètres qui le constituent.

Cette étude a conduit à la validation du modèle compilé en la comparant aux résultats de simulation du modèle petit signal du HBT.

Finalement, le nouveau modèle linéaire que nous avons développé est appliqué a la conception d'un amplificateur transimpédance, pour la réalisation d'un convertisseur optoélectronique.

Type de document:	Mémoire ou thèse (Mémoire de maîtrise électronique)
Renseignements supplémentaires:	"Mémoire présenté à l'École de technologie supérieure comme exigence partielle à l'obtention de la maîtrise en technologie des systèmes". Bibliogr.: p. [105]-110.
Mots-clés libres:	Bipolaire, CAO, Circuit, GaInP/GaAs, HBT, Heterojonction, Hyperfrequence, Lineaire, Modele, Modelisation, Monolithique, Petit, Signal, Transistor
Directeur de mémoire/thèse:	Directeur de mémoire/thèse Kouki, Ammar B.
Programme:	Maîtrise en ingénierie > Technologie des systèmes
Date de dépôt:	17 mai 2011 20:14
Dernière modification:	01 mars 2012 13:45
URI:	https://espace.etsmtl.ca/id/eprint/845

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