Modélisation électrothermique de transistors en technologie GaN

Laredj, Mohammed (2011). Modélisation électrothermique de transistors en technologie GaN. Mémoire de maîtrise électronique, Montréal, École de technologie supérieure.

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Résumé

L’analyse des dispositifs à base de Nitrure de Gallium ou GaN, montre que ces derniers sont des sérieux candidats pour les applications de télécommunications et radar.

Le but de cette étude est donc d'évaluer les potentialités des HEMTs AlGaN / GaN, et de proposer un modèle précis en régime petit signal de ce type de transistor, basé sur une méthode d'extraction des paramètres extrinsèques.

La méthode que nous avons proposée, permet de déterminer judicieusement les paramètres extrinsèques tout en négligeant les capacités des plots. Par la suite, les paramètres intrinsèques sont déterminés selon une méthode classique.

Notre procédure d'extraction est validée sur deux transistors multidoigts 4x20 μm et 2x100 μm. Un excellent accord est obtenu entre les paramètres S simulés et les mesures sur les deux transistors. Les résultats indiquent l'exactitude et la cohérence de cette méthode.

Le modèle petit signal GaN HEMT proposé, avec un modèle de grille distribuée, est approuvé selon la validation expérimentale réalisée sur des transistors 4x20 μm et 2x100 μm.

Titre traduit

Electrothermal modeling of GaN transitors

Résumé traduit

The analysis of the Gallium Nitride or GaN dispositive highlights that it is a serious candidate for telecommunication and radar applications.

The aim of this study is to assess the potentialities of HEMTs AlGaN/GaN, and to propose a precise small-signal model of this type of transistor based on an extrinsic parameter extraction method.

This method allows determining judiciously the extrinsic parameters while neglecting the pad capacitances. Thereafter, the intrinsic parameters are determined using a classical method.

Our procedure of extraction is validated using two multifingers transistors 4x20 μm and 2x100 μm. Excellent agreement is obtained between simulated and measured S parameters, for both transistors. The results indicate the accuracy and consistency of this method.

The small-signal GaN-HEMT model proposed, with a distributed gate model, is approved with an experimental validation performed on multifingers transistors 4x20 and 2x100 μm HEMT.

Type de document:	Mémoire ou thèse (Mémoire de maîtrise électronique)
Renseignements supplémentaires:	"Mémoire présenté à l'École de technologie supérieure comme exigence partielle à l'obtention de la maîtrise en génie électrique". Bibliogr. : f. [76]-78.
Mots-clés libres:	Transistors. Transistors HEMT. Algan, Effet, Électrothermique, Extraction, GaN, Méthode, Modélisation, Paramètre, Parasite, Petit, Régime, Signal, Technologie
Directeur de mémoire/thèse:	Directeur de mémoire/thèse Kouki, Ammar B.
Programme:	Maîtrise en ingénierie > Génie électrique
Date de dépôt:	13 mai 2011 15:18
Dernière modification:	23 févr. 2017 22:57
URI:	https://espace.etsmtl.ca/id/eprint/864

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